碳化硅晶体产业化项目启动 量产后可在多领域摆脱进口依赖

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5月19日，中科钢铁研究院在北京召开碳化硅成果发布会。记者在新闻发布会上获悉，我国高质量、大规模碳化硅晶体生长技术的研发取得突破性进展。随着工业化项目的正式启动，中国有望摆脱碳化硅半导体衬底依赖进口的尴尬局面。

碳化硅作为第三代半导体材料，因其在高温、高压和高频下的优异性能而成为最受关注的新型半导体材料之一。由碳化硅制成的电力电子元件可以在极端或恶劣的环境中工作，并且特别适合于需要高功率功率转换的应用，例如航空/航天、石油地质勘探、高速铁路、新能源车辆、太阳能逆变器和工业驱动。

“到2022年，碳化硅器件有望在半导体功率器件领域逐步取代硅，碳化硅半导体的时代即将开启。”中科钢研节能科技有限公司总经理张艳在接受《经济日报》采访时表示，未来五年，碳化硅功率半导体市场规模的复合年增长率将达到38%，市场前景广阔。

“碳化硅衬底是典型的技术密集型和资金密集型产业，而高产量和高稳定性的长晶加工技术是其核心。”中国兵器工业集团首席科学家魏华珍表示，目前，世界上先进的碳化硅晶体生长技术和设备掌握在德国、日本等少数发达国家手中，世界上只有少数企业能够实现商业化大规模生产。

目前，以美国Cree公司为代表的碳化硅半导体龙头企业已经实现了4英寸碳化硅产品的成熟使用，正向6英寸碳化硅迈进。国内4英寸碳化硅单芯片的质量和成本仍远远落后于国际先进水平，成为我国第三代半导体材料应用和发展的瓶颈。

中科钢铁研究院和上海大哥智能科技有限公司开发的升华法生产工艺稳定，设备自动化程度高。通过核心技术和设备的研发和升级，晶体产量、节能降耗等关键指标取得突破，优质大尺寸碳化硅晶体生产即将进入产业化。

“从市场调研，到组建专家团队，建立联合实验室，再到签署高质量、大规模的碳化硅产业化项目，中科钢研用了不到一年的时间。”张艳表示，未来三年，中科钢铁研究院将突破6英寸“高质量、低成本”的导电碳化硅晶体升华工艺和设备制造，达到产业化水平。同时，完成全国30亿元的投资布局，建成中国最大的碳化硅晶体衬底生产基地。(经济日报记者谷阳)

(编辑:刘鹏)